程，而作为“雕刻”芯片电路的那把“刀”，蚀刻光源的波长严重影响它的加工能力。
    目前国际上主流的光刻机普遍使用193纳米波长的紫外线光源，其之所以能够加工65、45甚至14纳米的硅晶圆，却是因为使用了折射率更好的镜头，并且把硅晶圆浸泡在高折射率的浸没液体里面，因此称之为浸没式光刻系统。
    而下一代光刻机则使用波长13.5纳米的极紫外线作为工作光源，有望将半导体制程推进到10纳米以下，唯一的问题是波长越小、光子的能量就越大，相应的穿透作用、电离作用也就越明显，像是有用又有害的x光就是波长小于10纳米的电磁波。
    euv是如此的高能，以至于光源造出来了，配套的掩膜、覆膜材料却没能跟上，导致下一代光刻始终无法实用化。
    虽然intel、ibm还有amd等传统cpu巨头，早在几年前就号称要进军10纳米，但因为euv“太给力”到现在还都没有实现，依然在14纳米制程打转，结果被三星和台积电弯道追车赶了上来。
    不过江湖传闻，他们的14/16纳米其实是20纳米fi，三丧为了搞个大新闻故意在纸面上升级了一下数据，然后台积电、高通和苹果为了各自利益，纷纷
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